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垣内 拓大カキウチ タクヒロ

所属部署
大学院理工学研究科 環境機能科学専攻
職名助教
メールアドレス
ホームページURL
生年月日
Last Updated :2018/08/04

研究者基本情報

学歴

  • 2006年04月 - 2008年03月, 総合研究大学院大学(総研大), 高エネルギー加速器科学研究科, 物質構造科学専攻
  • 2004年04月 - 2006年03月, 愛媛大学大学院, 理工学研究科, 物質理学専攻
  • 2000年04月 - 2004年03月, 愛媛大学, 理学部, 物質理学科

学位

  • 博士

経歴

  •   2008年04月,  - 現在, 愛媛大学大学院, 理工学研究科環境機能科学専攻, 助教(特任講師)

研究活動情報

研究分野

  • 量子ビーム科学, シンクロトロン放射光
  • 物理化学
  • 物性Ⅰ, 表面・界面
  • デバイス関連化学, 高誘電体材料

研究キーワード

    表面界面, 表面物性, 量子化学, 半導体, 構造化学, オージェ電子分光法, X線光電子分光法, コインシデンス分光, 表面科学

論文

  • Direct Observations of Correlation between Si-2p Components and Surface States on Si(110)-16 x 2 Single-Domain Surface Using Si-L23VV Auger-Electron and Si-2p Photoelectron Coincidence Measurements
    Kakiuchi Takuhiro, Yoshizaki Yuya, Kubota Hiroyuki, Sato Yuki, Nagaoka Shin-ichi, Mase Kazuhiko, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 86, (5) ,   2017年05月15日
  • Site-Specific Electron-Ralaxation Caused by Si:2p Core-Level Photoionization: Comparison between F3FiCH2CH2Si(CH3)3 and Cl3SiCH2CH2Si(CH3)3 Vapors by Means of Photoelectron Auger Electron Coinsicence Spectroscopy
    Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Joji Ohshita, Osamu Takahashi, and Yasumasa Hikosaka, J. Phys. Chem. A, 120, 9907 - 9915,   2016年11月
  • Local Valence Electronic States and Valence-Band Maximum of Ultrathin Silicon Nitride Films on Si(111) Studied by Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Thickness and Interface Structure Dependence
    Kakiuchi Takuhiro, Tahara Masashi, Mase Kazuhiko, Nagaoka Shin-ichi, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 84, (4) 1 - 44711,   2015年04月15日
  • Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7 x 7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements
    Mase Kazuhiko, Hiraga Kenta, Arae Sadanori, Kanemura Rui, Takano Yusaku, Yanase Kotaro, Ogashiwa Yosuke, Shohata Nariaki, Kanayama Noritsugu, Kakiuchi Takuhiro, Ohno Shinya, Sekiba Daiichiro, Okudaira Koji K., Okusawa Makoto, Tanaka Masatoshi, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 83, (9) 1 - 94704,   2014年09月
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究
    垣内拓大、間瀬一彦、長岡伸一, ぶんせき, 7, 374 - 380,   2014年
  • Attempts to Improve the Sensitivity and the Energy Resolution of an Analyzer for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy and Electron Ion Coincidence Spectroscopy
    S. Arae, R. Kanemura, K. Hiraga, Y. Oashira, K. Yanase, N. Kanayama, S. Ohno, T. Kakiuchi, K. Mase, K. K. Okudaira, M. Okusawa, and M. Tanaka, J. Vac. Soc. Jpn., 56, (12) 507 - 510,   2013年09月
  • Site-Specific Ion Desorption from Condensed F3SiD2CH2Si(CH3)3 Induced by Si-2p Core-Level Ionization Studied with Photoelectron Photoion Coincidence (PEPICO) Spectroscopy, Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Auger Electron Coincidence
    K. Mase, E. Kobayashi, A. Nambu, T. Kakiuchi, O. Takahashi, K. Tabayashi, J. Ohshita, S. Hashimoto, M. Tanaka, and S. Nagaoka, Surf. Sci., 607, 174 - 180,   2013年
  • Study of Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(111) by Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Upward Shift of Valence-Band Maximum Depending on the Interface Structure
    Kakiuchi Takuhiro, Fujita Narihiko, Mase Kazuhiko, Tanaka Masatoshi, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 81, (7) 1 - 74706,   2012年07月
  • Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(100) Studied Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Observation of Upward Shift of Valence-Band Maximum as a Function of SiO2 Thickness
    Kakiuchi Takuhiro, Fujita Narihiko, Mase Kazuhiko, Tanaka Masatoshi, Nagaoka Shin-ichi, JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 80, (8) 1 - 84703,   2011年08月
  • Surface-site-selective study of valence electronic states of a clean Si(111)-7x7 surface using Si L23VV Auger electron and Si 2p photoelectron coincidence measurements
    Kakiuchi Takuhiro, Tahara Masashi, Hashimoto Shogo, Fujita Narihiko, Tanaka Masatoshi, Mase Kazuhiko, Nagaoka Shin-ichi, PHYSICAL REVIEW B, 83, (3) 1 - 35320,   2011年01月24日
  • A Study to Control Chemical Reactions Using Si:2p Core Ionization: Site-Specific Fragmentation
    S. Nagaoka, H. Fukuzawa, G. Prümper, M. Takemoto, O. Takahashi, K. Yamaguchi, T. Kakiuchi, K. Tabayashi, I. H. Suzuki, J. R. Harries, Y. Tamenori, and K. Ueda, J. Phys. Chem. A, 115, (32) 8822 - 8831,   2011年07月
  • Ion Desorption from Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Soft X-ray Illumination
    Y. Mera, T. Fujiwara. K. Ishizaki, R. Xiang, J. Shiomi, S. Maruyama. T. Kakiuchi, K. Mase, and K. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys., 49, (10) 1 - 105104,   2010年07月
  • Surface-Site-Selective study of Valence Electronic Structures of Clean Si(100)-2×1 Using Si-L23VV Auger Electron - Si-2p Photoelectron Coincidence Spectroscopy
    T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, and S. Nagaoka, J. Phys. Soc. Jpn., 79, 064714-1 - 064714-4,   2010年06月
  • Topmost-surface-sensitive Si-2p photoelectron spectra of clean Si(100)-2×1 measured with photoelectron Auger coincidence spectroscopy Surface Science
    T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, and S. Nagaoka, Surf. Sci., 604, (9-10) 27 - 30,   2010年02月
  • Hydrogen ion desorption from amorphous carbon films induced by resonant core electron excitations
    Y. Mera, S. Liang, T. Fujiwara, K. Ishizaki, T. Kakiuchi, K. Mase, E. Kobayashi, K. K. Okudaira, and K. Maeda, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 268, (2) 127 - 130,   2010年11月
  • Auger-Electron Spectra of F3SiCH2CH2Si(CH3)3 Obtained by Using Monochromatized Synchrotron Radiation
    S. Nagaoka, A. Nitta, Y. Tamenori, H. Fukuzawa, K. Ueda, O. Takahashi, T. Kakiuchi, Y. Kitajima, K. Mase, and I. H. Suzuki, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 175, (1-3) 14 - 20,   2009年06月
  • Tunneling Effect in Antioxidant Reaction of Flavonoid
    T. Kakiuchi, K. Mukai, K. Ohara, and S. Nagaoka, Bull. Chem. Soc. Jpn., 82, (2) 216 - 218,   2009年08月
  • 高分解能オージェ電子-光電子コインシデンス分光、電子-イオンコインシデンス分光兼用装置の開発
    垣内 拓大, 橋本 章吾, 藤田 斉彦, 間瀬 一彦, 田中 正俊, 奥沢 誠, 日本真空協会, 51, (11) 749 - 757,   2008年10月
  • Construction and evaluation of a miniature electron ion coincidence analyzer mounted on a conflat flange with an outer diameter of 114 mm
    KAKIUCHI Takuhiro, KOBAYASHI Eiichi, OKUDAIRA Koji K., FUJITA Narihiko, TANAKA Masatoshi, MASE Kazuhiko, MASE Kazuhiko, MASE Kazuhiko, 日本分析化学会, 24, (1) 87 - 92,   2008年01月
  • Kinetics of the reaction by vitamin E is regenerated which natural by vitamin C
    Nagaoka Shin-ichi, Kakiuchi Takuhiro, Ohara Keishi, Mukai Kazuo, CHEMISTRY AND PHYSICS OF LIPIDS, 146, (1) 26 - 32,   2007年03月
  • Development of an electron electron ion coincidence analyzer for Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) and electron ion coincidence (EICO) spectroscopy
    T. Kakiuchi, E. Kobayashi, N. Okada, K. Oyamada, M. Okusawa, K. K. Okudaira, and K. Mase, ElsevierJ. Electron. Spectros. Relat. Phenom., 161, (1-3) 164 - 171,   2007年02月
  • Recent progress in coincidence studies on ion desorption induced by core excitation
    E. Kobayashi, K. Mase, A. Nambu, J. Seo, S. Tanaka, T. Kakiuchi, K. K. Okudaira, S. Nagaoka, M. Tanaka, J. Phys. : Condens. Matter, 18, (30) 1389 - 1408,   2006年07月
  • Site-specific fragmentation caused by Si:1s core-level photoionization of F3SiCH2CH2Si(CH3)3 vapor
    NAGAOKA S., TAMENORI Y., HINO M., KAKIUCHI T., OHSHITA J., OKADA K., IBUKI T., SUZUKI I.h., Chem. Phys. Lett., 412, (4-6) 459 - 463,   2005年08月
  • Total photoabsorption cross-sections of CF3SF5 in the C, F, and S K-shell regions
    T. Ibuki, Y. Shimada, S. Nagaoka, A. Fujii, M. Hino, T. Kakiuchi, K. Okada, K. Tabayashi, T. Matsudo, Y. Yamana, I. H. Suzuki, and Y. Tamenori, Chem. Phys. Lett., 392, (4/6) 303 - 308,   2004年06月

MISC

  • Si(110)清浄表面上に作製したハフニウムシリサイド超薄膜の 表面界面を選別した局所価電子状態
    垣内拓大、山崎真寛、間瀬一彦, PF Act. Rep. 2016, 34,   2017年
  • Auger electron spectra of hydrogenated Si(111)-1×1 surface obtained from Si-L23Vv Auger electron Si-2p photoelectron coincidence measurements
    T. Yamazaki, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, and M. Tanaka, J. Phys.: Conference Series, 288,   2011年
  • 70 mmコンフラットフランジマウント型加熱冷却機構付シリコン単結晶ホルダー
    小林英一、南部英、垣内拓大、間瀬一彦, 日本真空協会真空, 50, (1) 57 - 59,   2007年10月
  • 外径70mmのコンフラットフランジにマウントした加熱冷却機構付き二酸化チタン(TiO2)単結晶ホルダー
    垣内拓大、間瀬一彦, 日本真空協会, 51,   2008年10月
  • Development of an Electron Electron Ion Coincidence Apparatus for Auger-Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy
    Photon FactoryPF Activity Report 2006, Part A, Highlights 55, A,   2007年
  • ビタミンEの再生反応における量子論的効果(総合論文)
    長岡伸一、大内綾、垣内拓大、小原敬士、向井和男, 日本ビタミン学会ビタミン, 83, (9) 521 - 527,   2009年09月
  • 表面研究用オージェ電子-光電子コインシデンス分光、電子-イオンコインシデンス分光兼用装置、および電子-極角分解イオンコインシデンス分光装置の開発
    Photon Factory News編集委員会Photon Factory News, 27,   2009年

講演・口頭発表等

  • Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製した Hfシリサイド超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態
    垣内拓大、山崎真寛、長岡伸一、間瀬一彦, 2016年度量子ビームサイエンスフェスタ(第8回MLFシンポジウム/第34回PFシンポジウム),   2017年03月14日
  • 同時計数法を用いた固体試料表面界面の単原子分光
    垣内拓大, 京都工芸繊維大学「分子構造化学セミナー」,   2017年03月10日, 招待有り
  • Hf/SiO2/Si(110)およびHfO2/SiO2/Si(110)超薄膜の 界面を選別した局所価電子状態の研究
    垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦, 2016年真空・表面科学合同講演会,   2016年11月29日
  • Si(110)-16×2 シングルドメイン清浄表面上に作製したSiO2超薄膜の 表面界面組成と表面局所価電子状態
    垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦, 第10回分子科学討論会,   2016年09月13日
  • オージェ電子・光電子コインシデンス分光を用いた金薄膜のオージェ2正孔終状態におけるスピン軌道状態の検出
    小玉開、田中正人、大野真也、垣内拓大、間瀬一彦、奥平幸司、田中正俊、田中慎一郎, 日本物理学会第 71回年次大会,   2016年03月19日
  • Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜界面を選別した局所価電子状態
    垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦, 2015年度量子ビームサイエンスフェスタ(第7回MLFシンポジウム/第33回PFシンポジウム),   2016年03月15日
  • Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化
    垣内拓大、池田恭平、長岡伸一、間瀬一彦, 2015年度量子ビームサイエンスフェスタ(第7回MLFシンポジウム/第33回PFシンポジウム),   2016年03月15日
  • オージェ電子ー光電子コインシデンス分光測定によるAu内殻正孔緩和過程の研究
    小玉開、田中正人、大野真也、垣内拓大、間瀬一彦、奥平幸司、田中正俊、田中慎一郎, 2015年真空・表面科学合同講演会,   2015年12月01日
  • 低速電子回折と電子分光法による Hf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究
    垣内拓大、桂木拓磨、中納佑二、吉越章隆、長岡伸一、間瀬一彦, 2015年真空・表面科学合同講演会,   2015年12月01日
  • X線光電子分光、光電子-オージェ電子コインシデンス分光による 水素吸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究
    垣内拓大、中納佑二、長岡伸一、間瀬一彦, 2015年真空・表面科学合同講演会,   2015年12月01日
  • Hafnium adsorption to clean Si(110)-16×2 single domain surface studied with photoelectron spectroscopy
    T. Kakiuchi, T. Katsuragi, Y. Nakano, S. Nagaoka, K. Mase, International Conference on Electron Spectroscopy and Structure: ICESS-15,   2015年09月28日
  • Hydrogen adsorption to clean Si(110)-16×2 single domain surface and its chemical states
    T. Kakiuchi, Y. Nakano, S. Nagaoka, K. Mase, International Conference on Electron Spectroscopy and Structure: ICESS-15,   2015年09月28日
  • Au-N6,7VVオージェ電子 – Au-4f光電子コインシデンス分光 測定による Au-4f 内殻正孔緩和過程の研究
    小玉開、田中正人、大野真也、垣内拓大、間瀬一彦、 奥平幸司、田中正俊、田中慎一郎, 第3回物構研サイエンスフェスタ,   2015年03月17日
  • Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への 水素吸着過程とその表面物性
    垣内拓大、中納佑二、長岡伸一、間瀬一彦, 第3回物構研サイエンスフェスタ,   2015年03月17日
  • Surface Structure and Local Valence Electronic states of Si(110)-16×2 surface after exposure to water: XPS and Auger-photoelectron coincidence study
    T. Kakiuchi, S. Nishiura, J. Kawamoto, S. Nagaoka, K. Mase, Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2014),   2014年12月08日
  • 水の解離吸着によるSi(110)-16×2清浄面の表面構造と局所価電子状態の変化
    垣内拓大、西浦伸吾、川本淳滋、長岡伸一、間瀬一彦, 第34回表面科学学術講演会,   2014年11月06日
  • Si(110)-16×2清浄表面へのH2O解離吸着:表面物性と表面1次元構造の変化
    垣内拓大、西浦伸吾、川本淳滋、長岡伸一、間瀬一彦, 第8回分子科学討論会,   2014年09月21日
  • Si-LVVオージェ電子‐Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究
    平賀健太、新江定憲、兼村瑠威、小柏洋輔、梁瀬虹太朗、高野優作、金山典嗣、大野真也、垣内拓大、所畑成明、関場大一郎、奥平幸司、奥沢誠、間瀬一彦、田中正俊, 日本物理学会第69回年次大会,   2014年03月27日
  • Si(110)-16×2清浄表面の表面敏感なSi-2p光電子スペクトル測定
    垣内拓大、間瀬一彦, 物構研サイエンスフェスタ2013,   2014年03月18日
  • 高感度電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の性能評価とSi-LVVオージェ電子-Si‐2s光電子コインシデンス分光測定
    平賀健太、新江定憲、兼村瑠威、小柏洋輔、梁瀬 虹太朗、金山典嗣、大野真也、垣内拓大、間瀬一彦、奥平幸司、奥沢誠、田中正俊, 第27回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム,   2014年01月11日
  • Atomic Structure of Si(110)-16×2 Studied by Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS)
    T. Kakiuchi, Y. Yoshizaki, H. Kubota, Y. Sato, K. Mase, 9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’13,   2013年12月02日
  • 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の原子構造と局所価電子状態
    垣内拓大、吉崎佑也、久保田裕之、佐藤勇輝、間瀬一彦, 2013年真空・表面科学合同講演会,   2013年11月26日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた表面研究の現状と展望
    垣内拓大, 2013年日本化学会中国四国支部大会,   2013年11月16日, 招待有り
  • 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の原子構造と局所価電子状態
    垣内拓大、吉崎佑也、久保田裕之、佐藤勇輝、間瀬一彦, 第7回分子科学討論会,   2013年09月24日
  • Si-L23VVオージェ電子-Si-2p光電子コインシデンス分光による表面第1層を水素化したSi(111)の局所電子状態の研究
    新江定憲、小柏洋輔、梁瀬虹太朗、越智啓太、石井明日香、大野真也、垣内拓大、間瀬一彦、奥沢誠、田中正俊, 物構研サイエンスフェスタ,   2013年03月14日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si(110)-16×2清浄表面の局所価電子状態の研究
    垣内拓大、佐藤勇輝、花岡咲、坂尾諒、新江定憲、田中正俊、 長岡伸一、間瀬一彦, 物構研サイエンスフェスタ,   2013年03月14日
  • Construction and Evaluation of Auger-Photoelectron Coincidence Apparatus at BL13 of HiSOR
    T. Kakiuchi, Y. Sato, S. Hanaoka, S. Kajikawa, H. Hayashita, M. Ogawa, S. Arae, S. Wada, T. Sekitani, S. Nagaoka, M. Tanaka, and K. Mase, Progress in materials science and synchrotron radiation,   2013年02月28日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSiO2/Si超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究
    垣内拓大, 第32回表面科学学術講演会,   2012年11月20日, 招待有り
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSi(110)-16×2清浄表面の局所価電子状態の観測
    垣内拓大、佐藤勇輝、花岡咲、長岡伸一、間瀬一彦, 第6回分子科学討論会,   2012年09月18日
  • Mechanism of highly charged Ar ions production induced by inner-shell ionization studied using Auger-electron – ion coincidence spectroscopy
    T. Kakiuchi, S. Hanaoka, D. Tamaki, S. Fujiwara, Y. Yoshizaki, K. Mase, S. Nagaoka, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces,   2012年08月27日
  • Local valence electronic states of silicon nitride ultrathin films on Si(111) stud-ied by using Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS)
    T. Kakiuchi, M. Tahara, S. Nagaoka, K. Mase, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces,   2012年08月27日
  • Attempts to Improve the Sensitivity and the Energy Resolution of an Analyzer for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy and Electron Ion Coincidence Spectroscopy
    K. Mase, S. Arae, Y. Ogashiwa, S. Ohno, T. Kakiuchi, M. Okusawa, M. Tanaka, 11th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation,   2012年07月09日
  • Study of Highly Charged Ar Ions Formed by Electron-Impact Ionization
    Takuhiro Kakiuchi1, Saki Hanaoka1, Kazuhiko Mase2, 3, Shin-ichi Nagaoka, 第28回化学反応討論会,   2012年06月06日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による H2O/Si(111)表面における局所価電子状態の研究
    新江定憲、梶川隼平、林下弘憲、小川舞、大野真也、垣内拓大、和田真一、関谷徹司、間瀬一彦、奥沢誠、田中正俊, 第25回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム,   2012年01月06日
  • Si(110)-16×2清浄表面の最安定構造モデル
    垣内拓大、久保田裕之、田原雅士、間瀬一彦、長岡伸一, 第5回分子科学討論会,   2011年09月20日
  • Development of Coincidence Spectrometer for Study of Collision Dynamics between High-Energy Electron and Molecule
    T. Ito, S. Inoue, M. Tahara, Y. Nakazato, H. Kubota, T. Kakiuchi, S. Nagaoka, K. Mase, 第27回化学反応討論会,   2011年06月08日
  • Si(111)単結晶上に作製したSi3N4超薄膜の 表面・界面局所価電子状態
    垣内拓大、田原雅士、長岡伸一、間瀬一彦, 第 28 回 PF シンポジウム,   2011年03月14日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による Si(111)-7×7清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究
    垣内拓大、田原雅士、長岡伸一、間瀬一彦, 第4回分子科学討論,   2010年09月14日
  • Si3N4/Si(111)超薄膜の表面・界面・基板を選別した局所価電子状態の研究
    田原雅士、山口勝広、垣内拓大、間瀬一彦、長岡伸一, 第4回分子科学討論会,   2010年09月14日
  • Development of Apparatus for Auger Electron - Ion Coincidence Spectroscopy and Auger Electron - Auger Electron Coincidence Spectroscopy in Gas Phase Using 5-keV Electron Gun
    T. Kakiuchi, S. Inoue, M. Tahara, T. Itoh, H. Kubota, Y. Nakazato,S. Nagaoka, K. Mase, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010,   2010年08月
  • Auger electron spectra of hydrogenated Si(111) obtained with Auger electron photoelectron coincidence measurements
    T. Yamazaki, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, M. Tanaka, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010,   2010年08月
  • Site-selective ion desorption from CF3CH2OH dissociatively chemisorbed on Si(111) studied with photoelectron photoion coincidence (PEPICO) measurements
    T. Yamazak, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, S. Nagaoka, M. Tanaka, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Clusters & Surfaces MPS 2010,   2010年08月
  • Development of Multi Coincidence Spectrometer Using 5-keV Electron Gun
    S. Inoue, M. Tahara, T. Kakiuchi, S. Nagaoka, K. Mase, 第26回化学反応討論会,   2010年06月02日
  • 高エネルギー電子線励起に由来した内殻電子励起ダイナミクスを研究するための気体・表面試料用コインシデンス分光装置の開発
    田原雅士、井上慎平、垣内拓大、間瀬一彦、長岡伸一, 2009 日本化学会西日本大会,   2009年11月07日
  • Si L23VV オージェ電子スペクトル計算によるSiO2/Si(001)超薄膜の表面・界面局所価電子状態の研究
    山口勝広、垣内拓大、間瀬一彦、高橋修、長岡伸一, 2009 日本化学会西日本大会,   2009年11月07日
  • Study of local valence electronic states of Si3N4 grown on Si(111) and Si(001) using Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS)
    T. Kakiuchi, M. Tahara, H. Ishida, K. Mase, S. Nagaoka, 11-th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure,   2009年10月06日
  • Surface-selective study of Si-L23VV Auger-electron and Si-2p photoelectron spectra of Si(100)-2×1 and Si(111)-7×7 using Auger-electron photoelectron coincidence spectroscopy (APECS)
    T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka, 11-th International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure,   2009年10月06日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si3N4/Si(111)-8×8表面界面の局所価電子状態の研究
    田原雅士、垣内拓大、山崎貴彦、橋本章吾、田中正俊、間瀬一彦、長岡 伸一,   2009年09月21日
  • Development of an Apparatus for Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy for Surface Study
    T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka, M. Okusawa, 10th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation,   2009年09月
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いたSi3N4/Si(111)-8×8表面のサイト選択的オージェ電子スペクトル測定による局所価電子状態の研究
    田原雅士、垣内拓大、山崎貴彦、橋本章吾、田中正俊、間瀬一彦、長岡伸一, 日本化学会第89春季年会,   2009年03月27日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法を用いた Si3N4/Si(111)-8×8界面表面のサイト選択的オージェ電子 スペクトル測定による局所価電子状態の研究
    垣内拓大、田原雅士、山崎貴彦、橋本章吾、田中正俊、 間瀬一彦、長岡伸一, 第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム,   2009年01月09日
  • オージェ電子-光電子コインシデンス分光法によるSiおよびSiO2超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究
    垣内拓大, 2008愛媛地区化学講演会,   2008年12月04日
  • Hydrogen Ion Desorption from Amorphous Carbon Films Induced by Resonant Core Electron Excitations
    Y. Mera, S. Liang, T. Fujiwara, K. Ishizaki, T. Kakiuchi, K. Mase, E. Kobayashi, K. K. Okudaira, K. Maeda, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia ,   2008年10月28日
  • Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(100) and Si(111) Studied UsingAuger Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS)
    T. Kakiuchi, N. Fujita, K. Mase, M. Tanaka, 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia,   2008年10月28日
  • コインシデンス分光法による凝縮F3SiCD2CH2Si(CH3)3のサイト選択的オージェ過程およびイオン脱離の研究
    橋本章吾、藤田斉彦、垣内拓大、間瀬一彦、大下浄治、長岡伸一、田中正俊, 第49回真空に関する連合講演会,   2008年10月27日
  • 高分解能電子―電子-イオンコインシデンス分光によるSi単結晶清浄表面の表面最上層のSi 2p 光電子およびSi L23VVオージェ電子スペクトル測定
    垣内拓大、藤田斉彦、橋本章吾、間瀬一彦、田中正俊, 第2回分子科学討論会,   2008年09月24日
  • 改良型電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用
    垣内拓大、藤田斉彦、橋本章吾、間瀬一彦、大下浄治、長岡伸一、田中正俊, 日本物理学会2008年秋季大会,   2008年09月20日

競争的資金

その他

  •   2017年04月, 凹凸あるSi表面上に作製したhigh-k材料超薄膜の分光学的研究;吸着ダイナミクスと表面界 面物性, 物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号:2017G041
  •   2016年12月, リアルタイム光電子分光法によるSi 単結晶上に作製したHf 超薄膜表面界面の酸化過程の解明, SPring-8内JAEA、BL23SU、平成28年度(下期)施設供用研究課題、代表、採択、課題番号:2016B-E15
  •   2013年04月, Si(110)表面上に作製した誘電体・金属シリサイド超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究, 物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号:2013G019
  •   2011年06月, コインシデンス分光による Si 表面上に作成した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究 , 平成23年度広島大学放射光科学研究センター共同研究課題、代表、採択、課題番号:11-B-24
  •   2011年04月, コインシデンス分光によるSi表面上に作製した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究, 物質構造科学研究所放射光共同利用実験G課題、代表、採択、課題番号:2011G099
  •   2015年04月, Si(110)表面上に作製した金属・酸化物超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究, 物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号:2015G011


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