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佐藤 久子サトウ ヒサコ

所属部署
大学院理工学研究科 環境機能科学専攻
職名教授
メールアドレス
ホームページURL
生年月日
Last Updated :2018/05/08

研究者基本情報

学歴

  • 1981年 - 1983年, 東京大学, 大学院理学系研究科, 化学専攻

学位

  • 理学(博士)
  • 工学(博士)

経歴

  •   2010年,  - 現在, 愛媛大学, 大学院・理工学研究科, 教授

所属学協会

  • モレキュラーキラリティ
  • 低次元光機能材料研究会
  • 環境放射能除染学会
  • 錯体化学会
  • 日本粘土学会
  • 応用物理学会
  • 日本化学会

委員歴

  •   2017年03月 - 現在, 日本化学会 中国四国支部, 代表正会員
  •  - 現在, 日本粘土学会, 粘土科学 編集委員
  •  - 現在, 日本化学会 低次元系光機能材料研究会, 運営委員
  •  - 現在, 環境放射能除染学会 ,  評議員
  •  - 現在, モレキュラーキラリティ学会 , 実行委員
  •  - 2016年10月, 日本化学会 中国四国支部, 代議員
  •  - 2015年,  15th International Conference on Chiroptical Spectroscopy (CD2015), Executive Committee

研究活動情報

研究分野

  • 機能物性化学
  • 機能物質化学
  • 無機工業材料

研究キーワード

    振動円二色性分光法, 粘土鉱物, 超分子キラリティ, キラルテクトニクス, 有機無機ハイブリッド, センサー, トランジスタ, イリジウム錯体, 伝導性, ニオブ酸ナノシート, キラル, 無機材料, ナノシート, 電子デバイス, LB, ダイオード, 合成サポナイト, 層状化合物ナノシート, 層間・層状化合物, 光伝導性, 層状・層間化合物, 光電流, 光学分割, 粘土鉱物ナノシート, 酸素センシング, 発光

論文

MISC

書籍等出版物

特許

  • 軸性キラリティを有するPd(II)2核錯体からなる液晶物質キラルドーパント, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 佐藤 久子, 北澤 孝史, 谷口 昌宏, 特願2014-079713, 特開2015-199837
  • ハイブリッド膜、ガスセンサおよび発光性センサ, 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 特願2012-068298, 特開2013-200192
  • ハイブリッド膜およびガスセンサ, 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 特願2011-097322, 特開2012-229952
  • ハイブリッド膜およびガスセンサ, 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 特願2011-097322, 特開2012-229952, 特許第5681036号
  • 半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置, 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 特願2010-041036, 特開2011-173777
  • P型半導体材料およびその製造方法並びに半導体装置, 佐藤 久子, 田村 堅志, 山岸 晧彦, 特願2010-041036, 特開2011-173777, 特許第5476157号
  • ジベンゾイルエタナト配位金属錯体, 山岸 晧彦, 佐藤 久子, 田村 堅志, 特願2005-037051, 特開2006-225264
  • 液晶組成物及びそれを用いた液晶素子, 山岸 晧彦, 佐藤 久子, 田村 堅志, 特願2005-037052, 特開2006-225410
  • 液晶組成物及びそれを用いた液晶素子, 山岸 晧彦, 佐藤 久子, 田村 堅志, 特願2005-037052, 特開2006-225410, 特許第5024775号
  • ディレイライブラリの作成方法および記憶媒体, 佐藤 久子, 増田 弘生, 伊藤 祐子, 磯村 悟, 山下 毅雄, 常野 克己, 特願平10-357056, 特開2000-181944
  • 半導体装置およびその製造方法, 増田 弘生, 佐藤 久子, 常野 克己, 英 善明, 石橋 亨介, 特願平10-349457, 特開2000-174138
  • 半導体集積回路装置, 増田 弘生, 佐藤 久子, 常野 克己, 青山 仁子, 吉田 誠, 長谷川 雅俊, 特願平10-049100, 特開平11-251548
  • イオン打ち込み方法および半導体集積回路装置の製造方法, 佐藤 久子, 小笠原 誠, 常野 克己, 青山 仁子, 増田 弘生, 鎌田 正, 特願平9-068800, 特開平10-270374
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 佐藤 久子, 増田 弘生, 常野 克己, 青山 仁子, 特願平9-040793, 特開平10-242460
  • 半導体集積回路装置及びその製造方法, 青山 仁子, 常野 克己, 佐藤 久子, 中村 高秀, 増田 弘生, 特願平8-236066, 特開平10-084112
  • 半導体集積回路装置の製造方法, 佐藤 久子, 増田 弘生, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 国友 久彰, 鈴木 匡, 特願平8-210161, 特開平10-055977
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 青山 仁子, 石井 正宏, 国友 久彰, 常野 克己, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 特願平8-051893, 特開平9-246535
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 国友 久彰, 増田 弘生, 特願平8-049726, 特開平9-246201
  • 3次元形状シミュレーション方法および装置, 中村 高秀, 佐藤 久子, 常野 克己, 国友 久彰, 青山 仁子, 増田 弘生, 特願平8-049766, 特開平9-246345
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 常野 克己, 石井 正宏, 国友 久彰, 青山 仁子, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 特願平8-049728, 特開平9-246538
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 国友 久彰, 特願平8-049727, 特開平9-246537
  • 信号線駆動装置, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 国友 久彰, 特願平8-044436, 特開平9-237870
  • 半導体集積回路装置の評価方法, 佐藤 久子, 増田 弘生, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 国友 久彰, 特願平8-039174, 特開平9-232248
  • 半導体装置及びその製造方法, 国友 久彰, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 青山 仁子, 特願平8-023619, 特開平9-219523
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 青山 仁子, 石井 正宏, 国友 久彰, 常野 克己, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 特願平7-338355, 特開平9-181301
  • 半導体集積回路装置, 常野 克己, 青山 仁子, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 国友 久彰, 成井 誠司, 宇田川 哲, 特願平7-217952, 特開平9-064289
  • 半導体集積回路装置, 常野 克己, 青山 仁子, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 国友 久彰, 成井 誠司, 宇田川 哲, 特願平7-217951, 特開平9-064288
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 青山 仁子, 国友 久彰, 常野 克己, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 特願平7-217956, 特開平9-064182
  • 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置, 佐藤 久子, 増田 弘生, 夏秋 信義, 常野 克己, 青山 仁子, 中村 高秀, 鈴木 匡, 国友 久彰, 特願平7-214563, 特開平9-063980
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 青山 仁子, 国友 久彰, 常野 克己, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 吉田 誠, 特願平7-189913, 特開平9-045920
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 常野 克己, 青山 仁子, 中村 高秀, 佐藤 久子, 増田 弘生, 国友 久彰, 特願平7-146975, 特開平8-340045
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 青山 仁子, 常野 克己, 佐藤 久子, 中村 高秀, 増田 弘生, 国友 久彰, 特願平7-146976, 特開平8-340111
  • 半導体集積回路装置の製造方法, 常野 克己, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 青山 仁子, 特願平7-081172, 特開平8-078682
  • 半導体集積回路装置, 市川 仁子, 常野 克己, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 国友 久彰, 特願平6-201226, 特開平8-064677
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 佐藤 久子, 増田 弘生, 常野 克己, 市川 仁子, 中村 高秀, 国友 久彰, 特願平6-181190, 特開平8-045865
  • 半導体集積回路装置, 常野 克己, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 市川 仁子, 特願平6-098269, 特開平7-307337
  • 終端制御回路, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 市川 仁子, 特願平6-094693, 特開平7-302143
  • 半導体集積回路装置, 常野 克己, 市川 仁子, 増田 弘生, 佐藤 久子, 特願平6-086371, 特開平7-297188
  • 半導体装置の設計方法およびそれを用いた半導体装置, 佐藤 久子, 市川 仁子, 増田 弘生, 常野 克己, 中村 高秀, 特願平6-080387, 特開平7-288318
  • 論理回路およびそれを用いた半導体集積回路装置, 大塚 文雄, 浅野 勇, 佐藤 久子, 小笠原 誠, 特願平6-021635, 特開平7-231251
  • 半導体集積回路装置, 市川 仁子, 増田 弘生, 佐藤 久子, 常野 克己, 特願平5-293234, 特開平7-147280
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 市川 仁子, 増田 弘生, 佐藤 久子, 常野 克己, 特願平5-288547, 特開平7-142480
  • 半導体集積回路装置およびその製造方法, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 市川 仁子, 池田 隆英, 夏秋 信義, 三谷 真一郎, 特願平5-277034, 特開平7-131025
  • 半導体集積回路装置, 増田 弘生, 佐藤 久子, 中村 高秀, 常野 克己, 市川 仁子, 池田 隆英, 夏秋 信義, 三谷 真一郎, 特願平5-277034, 特開平7-131025, 特許第3488730号
  • 半導体装置の設計方法, 佐藤 久子, 近藤 香織, 常野 克己, 増田 弘生, 特願平5-258362, 特開平7-115071
  • 半導体装置の設計方法, 佐藤 久子, 増田 弘生, 常野 克己, 特願平5-258361, 特開平7-115070
  • 半導体装置の設計方法, 常野 克己, 増田 弘生, 佐藤 久子, 市川 仁子, 特願平5-252030, 特開平7-105267
  • 半導体集積回路装置の製造方法, 佐藤 久子, 鎌田 正, 常野 克己, 増田 弘生, 特願平5-097486, 特開平6-310451
  • 半導体集積回路装置の製造方法, 佐藤 久子, 鎌田 正, 常野 克己, 鈴木 匡, 増田 弘生, 特願平5-032906, 特開平6-252087
  • 半導体集積回路の設計方法, 増田 弘生, 大塚 文雄, 佐藤 久子, 常野 克己, 特願平4-320164, 特開平6-168290

受賞

  •   2017年09月, 日本粘土学会, 論文賞

競争的資金

  • 発光性キラルイリジウム錯体膜を用いたアップコンバージョンシステムの構築
    日本学術振興会, 科研費基盤B, 佐藤久子
  • 汚染土壌中の吸着セシウムイオンのミクロ構造の解明
    科研費基盤B, 田村堅志
  • D-アミノ酸への転換反応追跡用次元拡張型振動円二色性分光法の開発
    文部科学省 科学研究費補助金(新学術領域(研究提案型)), 佐藤久子
  • 発光性イリジウム錯体を用いた生体内アミノ酸DL変換のその場追跡
    科研費挑戦的萌芽, 佐藤二美
  • 汚染土壌の減容化実現に向けた粘土化学的手法の開発
    環境省, 環境研究総合推進費補助金, 佐藤久子
  • イリジウム錯体積層膜を用いた多重発光性センシングデバイスの開発
    文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(B)), 佐藤 久子
  • パーフルオロ鎖の自発的らせんに着目したゲルの階層的構造相変化の解明
    文部科学省, 科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究), 佐藤 久子
  • 発光性イリジウム錯体LB膜を用いた多機能性センシングデバイスの開発
    文部科学省, 科学研究費補助金(基盤研究(B)), 佐藤 久子, シクロメタレート型イリジウム(III)錯体は有機EL素子などの燐光型発光材料として注目されている。本申請者はこれまでに長鎖アルキル基を有する中性の両親媒性Ir(III)錯体のラングミュア・ブロジェット(LB)膜を製造し、それを気体センサー膜として用いることに成功した。今回この発展として、より長寿命で堅固な層構造をもつ発光性薄膜をめざして種々の陽イオン性Ir(III)錯体と剥離化した粘土鉱物(無機ナノシート)とのハイブリッド化の検討をおこない、多色化をめざした酸素センシングデバイスのための研究をおこなった。今年度は色調変化のためのlayer-by-layer人工積層方法の検討をおこなった。今年度搬入した有機合成装置を用いて、3種(赤、青、黄)のIr(III)錯体を合成した。次に3種類のIr(III)錯体を用いた交互積層LB膜の製造と、それらの積層順番による色調変化の可能性について検討した。特に、2種のIr(III)錯体を用いた交互積層LB膜の製造と、それらによる色調変化の可能性について検討した。まずは単独の錯体と粘土鉱物とのハイブリッドLB膜を用いて積層数と発光強度が比例する条件を確立した。次に異種の錯体が一定の順序で配列した複合膜を製造するために、layer-by-layer人工積層膜を製造した。このとき、積層後のLB膜が基板から剥離しないように積層方法の技術開発をおこない、2種類の錯体の人工積層法に成功した。2種類の錯体の積層順序の可能な組み合わせを試み、錯体間のエネルギー移動効率を検討した。また、それらのLB膜による酸素センシングによる多色化を試みた。これらの主な成果はNew. J. of Chem. 36, 2467-2471 (2012)において報告し、hot article および裏表紙に採用された。科学技術振興機構主催のイノベーションジャパンに採択された。
  • 粘土エレクトロニクスの創成
    文部科学省, 科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究), 佐藤 久子, 本研究では環境に優しい低エネルギー型デバイスをめざして、無機層状化合物のみの電子デバイスに挑戦した。層状化合物の中で、粘土鉱物は天然に豊富に産する環境にやさしい無機素材として広く用いられてきた。本研究では、典型元素のみからなる粘土鉱物の剥離化によって、ナノシート化し、その透明性や柔軟性を利用して電子デバイスの絶縁層としての応用を目指した。粘土鉱物の一種である合成サポナイトナノシートを光半導体性のニオブ酸ナノシートと組み合わせて、電界制御型トランジスターの製造に挑戦し、トランジスター特性を示すことに成功した。


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